[19a-P04-1~13] 3.6 レーザープロセシング

[19a-P04-3] PLD法によるハイドロキシアパタイト成膜の結晶性評価

〇屋代 英彦¹、欠端 雅之¹ (1.産総研　電子光)

キーワード：

PLD法、ハイドロキシアパタイト、結晶性

アブレーション粒子の内、液滴を排除し原子状の粒子だけで成膜するエクリプス型PLD法では高結晶性ハイドロキシアパタイト成膜が大幅に低い温度で作製が可能である。またアニール温度上昇により高結晶へ変化することがラマン分光で確かめらていている。今回、この成膜の剥離片を透過型電子顕微鏡にて観測し、その結晶性を評価した。観測した透過電子線回折像から1μｍ程度の単結晶粒が作製されていることが確認された。