[19p-A25-1~15] 3.5 超高速・高強度レーザー

17:45 〜 18:00

[19p-A25-15] Bi₂Se₃バルク状態におけるスピン依存したバンドギャップ再正規化と状態充填効果

〇(M2)菊池 和弘¹、水越 優¹、福田 拓未²、Paul Fons³、長谷 宗明¹ (1.筑波大数理、2.沖縄科技大、3.慶大電情)

キーワード：

光スピン励起、バンドギャップ再正規化、トポロジカル絶縁体

トポロジカル絶縁体Bi₂Se₃のバルク状態に着目して光励起スピンダイナミクスを測定した。時間分解カー回転測定を複数の波長で行い、その結果を物質の屈折率を元に記述することで、バルク状態においてスピンに依存したバンドギャップ再正規化と状態充填効果が生じていることが明らかになった。