[19p-A31-1~18] 17.3 層状物質

13:45 〜 14:00

[19p-A31-2] ２次元半導体トランジスタにおけるスピン注入極性のゲート制御

〇植田 暁子¹、北岡 幸恵¹、今村 裕志¹ (1.産総研)

キーワード：

2次元半導体、スピン注入、ドリフト拡散シミュレーション

2次元半導体では金属ー半導体界面に形成されたショットキー障壁が電子やスピン注入において重要な役割を果たす。本研究では、二硫化モリブデンに強磁性体電極を取り付けた系を考える。この系におけるスピン注入メカニズムを理解するために、スピンの自由度を考慮したドリフト拡散法を用いて伝導特性を計算した。この系では、ある特定の強磁性体の条件で、ゲート電極を変化に対し、スピン注入の極性がスイッチする。また、ゲート電極の変化により、スピン注入効率を制御することが可能であることが分かった。