セッション詳細

[19p-A31-1~18]17.3 層状物質

2024年9月19日(木) 13:30 〜 18:15
A31 (朱鷺メッセ3F)
中払 周(東京工科大)、 谷保 芳孝(NTT)

[19p-A31-1][第56回講演奨励賞受賞記念講演] 二次元磁性層状物質の人工ヘテロ界面におけるバルク光起電力デバイス応用

〇朝田 秀一1、篠北 啓介1、松田 一成1 (1.京大エネ研)
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[19p-A31-2]2次元半導体トランジスタにおけるスピン注入極性のゲート制御

〇植田 暁子1、北岡 幸恵1、今村 裕志1 (1.産総研)
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[19p-A31-3]電子輸送層にTi3C2Tx MXeneを用いた薄膜フレキシブル有機フォトダイオードの開発

〇佐々木 光生1、大井 寛崇2、横田 知之1 (1.東大院、2.日本材料技研)
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[19p-A31-4]スパッタPt電極の適用によるWSe2 p-FETの向上

〇(DC)中島 隆一1、西村 知紀1、金橋 魁利1、上野 啓司2、宮田 耕充3、畑山 祥吾4、齊藤 雄太4,6、入沢 寿史4、谷口 尚5、渡邊 賢司5、長汐 晃輔1 (1.東京大、2.埼玉大、3.都立大、4.産総研、5.NIMS、6.東北大)
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[19p-A31-5]原子状水素化処理によるn型硫化モリブデン薄膜の作製とnチャンネルTFTの高性能化検討

〇李 柯澄1、許 誠浩1、土田 正道1、清水 耕作1 (1.日大生産工)
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[19p-A31-6]スマネン分子を用いた不揮発メモリと構造依存性

〇川合 遼一1、桐原 芳治1、芦原 栄斗1、勝亦 亮介1、藤江 麗香1、三河 空斗1、野平 博司1、石川 亮佑1、三谷 祐一郎1 (1.東京都市大)
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[19p-A31-7]単層WSe2電流励起発光素子への高密度電流注入

〇大井 浩司1、欧 昊1、蒲 江2、遠藤 尚彦3、宮田 耕充3、竹延 大志1 (1.名大工、2.東工大理、3.都立大理)
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[19p-A31-8]グラフェン/TMD/グラフェン接合におけるスピン保存共鳴トンネル効果

〇(M2)川瀬 仁平1、瀬尾 優太1、小野寺 桃子1、張 奕勁1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、守谷 頼1、町田 友樹1 (1.東大生研、2.NIMS)
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[19p-A31-9]hBN上に直接合成したWS2/WSe2ヘテロ構造の層間励起子

〇(D)田母神 唯1、張 文金1、中西 勇介1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、北浦 良2、宮田 耕充1 (1.都立大理、2.物材機構)
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[19p-A31-10][分科内招待講演] WSe2上のALD実現に向けたUV-O3暴露と真空アニールによる最表面へのSe欠陥導入

〇小島 拓也1、堀場 大輔1、柯 梦南1、青木 伸之1 (1.千葉大工)
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[19p-A31-11]トンネルFET用高濃度ソース材料のCVT合成における輸送剤選択

〇杉山 紀成1、森戸 智2、西村 知紀1、金橋 魁利1、上野 啓司2、長汐 晃輔1 (1.東大院工、2.埼玉大院理工)
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[19p-A31-12]劈開単層MoS2のToF-SIMSによるNb不純物均一性評価

〇田中 一樹1、西村 知紀1、金橋 魁利1、上野 啓司2、長汐 晃輔1 (1.東大工、2.埼玉大理)
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[19p-A31-13]二重折り畳み4層MoS2の構造及び物性評価

〇四谷 祥太郎1、遠藤 尚彦2、宮田 耕充2、桐谷 乃輔1 (1.東大院総合、2.都立大理)
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[19p-A31-14]Electrostatic properties of boron nitride nanotubes

〇Nadia Sultana1, Yanlin Gao1, Mina Maruyama1, Susumu Okada1 (1.Univ. of Tsukuba)
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[19p-A31-15]ドナー性分子接合MoS2における電気伝導描像の考察

〇松山 圭吾1、大熊 光1、上野 和紀1、桐谷 乃輔1 (1.東大院総合)
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[19p-A31-16]hBN基板上多層NbXMo1-XS2/MoS2面内ヘテロ構造の電子輸送特性

〇(M2)戸井田 尚大1、山口 将大1、遠藤 尚彦1、中西 勇介1、渡邊 賢司2、谷口 尚2、長汐 晃輔3、宮田 耕充1 (1.都立大物理、2.物材機構、3.東大工)
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[19p-A31-17]アミン系分子の表面処理による単層MoS2の縮退伝導挙動

〇小林 尭史1、Jain Puneet1、桐谷 乃輔1 (1.東大院総合)
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[19p-A31-18]MoS2多層膜の光吸収向上に向けた素子構造の検討

〇金 明玉1、岡田 至崇1 (1.東大先端研)
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