[19p-A37-1~15] 3.7 光計測技術・機器

15:15 〜 15:30奨励賞エントリー

[19p-A37-7] 通信波長帯光源を用いた誘導ラマン散乱顕微法によるシリコンの内部ひずみ計測

〇(DC)佐野 由季¹、小口 研一²、辻 啓吾¹、三田 吉郎¹、小関 泰之¹ (1.東大院工、2.東京理科大)

キーワード：

シリコン、応力、誘導ラマン散乱

半導体デバイスの高密度化に向けて、三次元集積技術や新しい加工技術の開発が盛んに進められる一方、シリコン基板の残留応力がデバイスに与える影響が懸念されている。しかし、従来技術ではシリコン基板内部の歪みを非破壊かつ高い空間分解能で計測することはできない。本研究では、通信波長帯の光源を用いて誘導ラマン散乱顕微法を実現することで、シリコン基板内部のひずみをラマンイメージングすることに成功した。