[19p-B2-1~14] 3.6 レーザープロセシング

16:30 〜 16:45

[19p-B2-14] ポリビニルピロリドン添加グリオキシル酸ニッケル錯体を用いたフェムト秒レーザ光熱還元析出抑制による細線描画

〇(M2)高橋 みのり¹、Ha Phuong Nam¹、大石 知司²、溝尻 瑞枝¹ (1.長岡技科大、2.芝浦工大)

キーワード：

フェムト秒レーザ直接描画、ニッケル析出、キャッピング効果

近年，フェムト秒レーザ還元描画法が注目されている．本研究では，グリオキシル酸Ni錯体インクを用いたNiパターンの細線化を目的として，グリオキシル酸Ni錯体インク中にキャッピング剤としてポリビニルピロリドン(PVP)を添加し，描画特性を評価した．PVP添加インクでは，線幅が減少し，パターン断面に粒径5­10 nm程度のナノ粒子が焼結されたことを確認した．PVPが析出したナノ粒子の成長を抑制した可能性を示唆している．