[19p-B5-1~16] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

16:15 〜 16:30

[19p-B5-13] フレキシブル熱電変換素子応用に向けた多結晶Ge薄膜の低温合成と高出力因子の実現

〇(DC)野沢 公暉¹、末益 崇¹、都甲 薫¹ (1.筑波大学院)

キーワード：

熱電変換

多結晶Geはその狭いバンドギャップに起因して、環境発電に適した温度帯で高い熱電性能を示す。加えて、低温結晶化（< 500 °C）が可能なため、フレキシブル熱電変換素子への展開も期待されてきた。しかしながら、熱電特性に有利な、高い移動度を維持した低温でのドーパント活性化は実現されてこなかった。一方で我々は、固相成長法の高度化により、プラスチックの耐熱温度以下で高移動度Ge膜を実現してきた。本研究では、ドーパントを同時蒸着したGe膜に対して固相成長を施した。実験の結果、プラスチックの耐熱温度以下ながら、高移動度・高キャリア密度を実現するとともに、IV族多結晶半導体として最高の出力因子が得られたので報告する。