2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[19p-B5-1~16]15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2024年9月19日(木) 13:00 〜 17:15
B5 (展示ホールB)
牧原 克典(名大)、 横川 凌(明治大)
13:00 〜 13:15

[19p-B5-1]Ge-on-Si(111)へのクラック発生の観測とその抑制

〇芝原 夕夏1、菊岡 柊也1、長尾 優希1、溝口 稜太1、山田 道洋1、浜屋 宏平2,3、澤野 憲太郎1 (1.都市大、2.阪大基礎工 CSRN、3.阪大 OTRI)
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13:15 〜 13:30

[19p-B5-2]選択的イオン注入によるSi(111)上の歪みSiGe/Geへのクラック伝搬抑制

〇溝口 稜太1、長尾 優希1、芝原 夕夏1、相川 茉由1、山田 道洋1、浜屋 宏平2,3、澤野 憲太郎1 (1.都市大、2.阪大基礎工 CSRN、3.阪大 OTRI)
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13:30 〜 13:45

[19p-B5-3]Ge-on-Insulator上マイクロブリッジの作製と共振発光の観測

〇吉川 修1、井上 貴裕1、小田島 綾華1、石川 陸1、横木 亮河1、澤野 憲太郎1 (1.都市大)
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13:45 〜 14:00

[19p-B5-4]Si上Ge p-i-n LEDの作製と室温EL発光特性

〇今井 広1、青木 宇宙1、菊岡 柊也1、澤野 憲太郎1 (1.都市大)
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14:00 〜 14:15

[19p-B5-5]Ge on insulator 構造を用いた横型SiGe スピン伝導素子の作製

〇大木 健司1、菊岡 柊也2、吉川 修2、鍬釣 一3、森本 敦己3、山本 圭介3、宇佐見 喬政1,5、服部 梓4、澤野 憲太郎2、浜屋 宏平1,5 (1.阪大基礎工CSRN、2.都市大理工、3.九大総理工、4.阪大産研、5.阪大OTRIスピン)
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14:15 〜 14:30

[19p-B5-6]Co2FeAl0.5Si0.5/Ge-pn接合を介した室温スピン信号の観測

〇大木 健司1、上田 信之介1、菊岡 柊也2、山田 道洋2、藤井 竣平1、宇佐見 喬政1,3、澤野 憲太郎2、浜屋 宏平1,3 (1.阪大基礎工CSRN、2.都市大理工、3.阪大OTRIスピン)
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14:30 〜 14:45

[19p-B5-7]分子線エピタキシー法を用いたメチル化ゲルマナン薄膜の形成

〇中山 敦稀1、松本 一歩1、柴山 茂久1、坂下 満男1、中塚 理1,2、黒澤 昌志1 (1.名大院工、2.名大未来研)
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14:45 〜 15:00

[19p-B5-8]偏析GeSn極薄結晶の形成に向けたGe1−xSnxエピタキシャル膜の表面処理

〇松本 泰河1、大田 晃生2、横川 凌3,4、黒澤 昌志1、坂下 満男1、中塚 理1、柴山 茂久1 (1.名大院工、2.福岡大理、3.明治大理工、4.明治大MREL)
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15:15 〜 15:30

[19p-B5-9]ポストアニールによるSn添加多結晶Ge薄膜(≤50nm)の粒径欠陥の不動態化

〇橋本 隆1、古賀 泰志郎1、梶原 隆司1、佐道 泰造1 (1.九大システム情報)
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15:30 〜 15:45

[19p-B5-10]分子線堆積法によるIV族カルコゲナイド薄膜の絶縁膜上成長

〇松村 亮1、張 秦強1、馬 博文1,2、Mahmoud Ahmed1,2、深田 直樹1,2 (1.物質・材料研究機構、2.筑波大)
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15:45 〜 16:00英語発表

[19p-B5-11]High Pressure Annealing Towards the Solid-Phase Crystallization of Thin-Film Germanium Sulfide

〇Ahmed Mahmoud1,2, Qinqiang Zhang1, Ryo Matsumura1, Naoki Fukata1,2 (1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba)
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16:00 〜 16:15英語発表

[19p-B5-12]Growth of Uniform GeS Thin Films by Aluminum Catalyst

〇Qinqiang Zhang1, Ryo Matsumura1, Naoki Fukata1 (1.MANA-NIMS)
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16:15 〜 16:30

[19p-B5-13]フレキシブル熱電変換素子応用に向けた多結晶Ge薄膜の低温合成と高出力因子の実現

〇(DC)野沢 公暉1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大学院)
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16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[19p-B5-14]多結晶Ge層の厚膜合成とガラス上分光感度の初実証

〇前田 真太郎1,2、石山 隆光1,2、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大院、2.学振特別研究員)
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16:45 〜 17:00

[19p-B5-15]Si薄膜の二次電池負極応用 -界面層挿入による特性向上-

〇江藤 葉1、野沢 公暉1、伊藤 玲音1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大)
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17:00 〜 17:15

[19p-B5-16]スクリーン印刷と焼成による厚いGe-rich領域を伴うSiGe薄膜のSi基板上のエピタキシャル成長

〇伊藤 耕平1、勝部 涼司1、今井 友貴2、宮本 聡1,2、鈴木 紹太3、南山 偉明3、ダムリン マルワン3,4、宇佐美 徳隆1,2,5 (1.名大院工、2.名大未来機構、3.東洋アルミ、4.阪大院工、5.名大未材研)
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