講演情報

[19p-C302-5][第56回講演奨励賞受賞記念講演] 真空共蒸着によるCsPbBr3/CsSnBr3/CsPbBr3ダブルヘテロ構造の作製

〇豊田 祥平1、劉 子豪1、楊 野牧1、五月女 真人2、松下 智紀2、近藤 高志1,2 (1.東大工、2.東大先端研)
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ペロブスカイト型半導体

近年、金属ハライドペロブスカイト(ABX3)は、組成制御による幅広いバンドギャップの可変性、長い光キャリア寿命などから光電デバイスの材料として注目されている。これまでに我々は、Bサイト置換のダブルヘテロ構造(CsPbBr3/ CsSnBr3/ CsPbBr3)が長時間安定であり、Type-I QWとなることを報告した。本研究では、CsPbBr3/ CsSnBr3/ CsPbBr3のダブルヘテロ構造を様々なCsSnBr3膜厚で作製し、その組成分布(XPS)、結晶性、光学特性を評価した。

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