講演情報
[19p-C302-7]真空共蒸着法による無機ペロブスカイトCsPbI2Br逆型太陽電池の作製と評価
〇石 仕駿1,2、五月女 真人2、野々村 一輝2,3、瀬川 浩司2,3、近藤 高志1,2 (1.東大工、2.東大先端研、3.東大総合文化)
キーワード:
ペロブスカイト、太陽電池、真空共蒸着法
無機Aサイトカチオンを持つ全無機ペロブスカイト半導体は、湿気、酸素、熱、紫外線の影響を軽減するために研究されています。これらの環境因子に耐性がある全無機ペロブスカイトの中で、CsPbI2Brはエネルギーギャップ(Eg)が1.9 eVであり、シリコンSCsとのタンデム型SCsに適しています。本研究では、異なる基板温度と退火条件で成長させたCsPbI2Brペロブスカイト太陽電池を調査しました。
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