[19p-C41-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

18:30 〜 18:45

[19p-C41-21] Al₂O₃キャップ層による4H-SiC/SiO₂界面への窒素導入過程の変化

〇中島 辰海¹、女屋 崇¹、喜多 浩之¹ (1.東大院新領域)

キーワード：

SiC、窒化、NOアニール

NOアニールにより4H-SiC/SiO₂界面に導入される窒素量が多いほど界面準位低減に効果があることが知られている。これまでに，絶縁膜の種類を変更することで，窒素量が変化することが明らかになっている。その中でも，酸素の拡散を抑制することで，界面の酸化反応に伴う窒素の脱離も抑制される可能性に着目した。そこで本研究では，酸素の拡散を抑制するAl₂O₃キャップ層の導入による窒素導入過程の変化を，窒素導入速度と脱離速度という観点から検討した。