セッション詳細

[19p-C41-1~24]13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2024年9月19日(木) 13:00 〜 19:30
C41 (ホテル日航新潟 4F)
岡本 大(富山県立大)、 今林 弘毅( 福井大)

[19p-C41-1]SiおよびWにおける低速イオンに対する電子阻止断面積のZ1振動を再現するEl-Hoshy−Gibbonsモデルの改良と4H-SiCへの適用

〇望月 和浩1、西村 智朗1、三島 友義1 (1.法政大)
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[19p-C41-2]ヘリウムイオン注入によるSiC積層欠陥拡張抑制

〇加藤 正史1、Li Tong1、原田 俊太2、坂根 仁3 (1.名工大、2.名大、3.住重アテックス)
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[19p-C41-3]水素・ヘリウムイオン注入SiCダイオードにおける点欠陥深さ方向分布

〇加藤 正史1、Li Tong1、原田 俊太2、坂根 仁3 (1.名工大、2.名大、3.住重アテックス)
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[19p-C41-4]Observation of Baking Temperature Influence on Interfacial Thermal Resistance at Polymer/SiC Interface Using Optical-Interference Contactless Thermometry (OICT)

〇Yu Jiawen1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広島大学)
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[19p-C41-5]高温下におけるシリコンキャップアニールコンタクトの長期安定性評価

〇福澤 尊仁1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大先進理工)
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[19p-C41-6]金属/SiCコンタクトの加熱その場TEM観察

〇林 将平1、先崎 純寿2 (1.東レリサーチセンター、2.産総研)
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[19p-C41-7]600°C熱処理によるp型SiC上の低抵抗Ptオーム性電極の形成

〇桑原 功太朗1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
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[19p-C41-8]SiC(0001)表面モフォロジーに対する酸化及び水素エッチングの影響

〇神畠 真治1、小林 拓真1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
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[19p-C41-9]広温度範囲に亘るSiO2/SiC界面発光中心の形成過程の調査

〇(B)兼子 悠1、中沼 貴澄1、遠山 晴子2、田原 康佐2、朽木 克博2、渡部 平司1、小林 拓真1 (1.阪大工・院工、2.豊田中研)
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[19p-C41-10]SiO2/SiC界面発光中心の発光強度の酸化温度・酸素分圧依存性

〇大西 健太郎1、中沼 貴澄1、遠山 晴子2、田原 康佐2、朽木 克博2、渡部 平司1、小林 拓真1 (1.阪大院工、2.豊田中研)
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[19p-C41-11]SiO2/SiC界面発光中心の密度に対する熱処理雰囲気及び時間の影響

〇中沼 貴澄1、田原 康佐2、遠山 晴子2、朽木 克博2、渡部 平司1、小林 拓真1 (1.阪大院工、2.豊田中研)
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[19p-C41-12]第一原理計算を用いた4H-SiC中不純物-空孔ペアに関する包括的調査

〇(M2)岩本 蒼典1、渡部 平司1、小林 拓真1 (1.阪大院工)
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[19p-C41-13]電子線照射がSiCおよびSi MOSFETのチャネル特性に及ぼす影響

〇(M2)松木 康太郎1、市川 義人2、小野澤 勇一2、岩室 憲幸1、矢野 裕司1 (1.筑波大、2.富士電機)
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[19p-C41-14]4H-SiC MOS反転層における電子状態の界面構造依存性

〇(DC)永溝 幸周1、田中 一1、森 伸也1 (1.阪大院工)
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[19p-C41-15]SiC MOSFETにおける量子閉じ込め効果と界面準位のエネルギー分布に関する考察

〇遅 熙倫1、伊藤 滉二1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
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[19p-C41-16]SiC pチャネルMOSFETのしきい値電圧と移動度に与えるカウンタードープの効果

〇伊東 遼馬1、井上 瑛1、三上 杏太1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
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[19p-C41-17]SiC MOS 構造中に生成されるボディ層濃度に依存した固定電荷

〇三上 杏太1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)
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[19p-C41-18]第一原理計算によるNOアニール後のSiC/SiO2界面の電子状態解析

〇(M1)杉山 耕生1、舩木 七星斗1、植本 光治1、小野 倫也1 (1.神戸大工)
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[19p-C41-19]NO窒化SiC(0-33-8) MOS構造の界面特性及び信頼性評価

〇岩本 隼登1、小林 拓真1、平井 悠久2、染谷 満1,2、岡本 光央2、渡部 平司1 (1.阪大院工、2.産総研)
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[19p-C41-20]SiC 表面のプラズマ窒化と絶縁膜堆積により形成した SiO2/SiC 構造に対する後熱処理の効果

〇藤本 博貴1、小林 拓真1、渡部 平司1 (1.阪大院工)
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[19p-C41-21]Al2O3キャップ層による4H-SiC/SiO2界面への窒素導入過程の変化

〇中島 辰海1、女屋 崇1、喜多 浩之1 (1.東大院新領域)
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[19p-C41-22]SiC MOSFETへのゲートACストレス印加による発光としきい値電圧変動

〇(M1)新郷 諒介1、円城寺 佑哉1、岩室 憲幸1、矢野 裕司1 (1.筑波大)
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[19p-C41-23]負電圧ゲートストレス印加によるSiC MOSFETのチャネル移動度劣化

〇八軒 慶慈1、小林 拓真1、平井 悠久2、染谷 満1,2、岡本 光央2、渡部 平司1 (1.阪大院工、2.産総研)
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[19p-C41-24]高温酸化プロセスによるSiC MOSFETのゲートストレス耐性向上

〇(M1)陳 強1、小林 拓真1、平井 悠久2、染谷 満1,2、岡本 光央2、渡部 平司1 (1.阪大院工、2.産総研)
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