[19p-C42-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

13:45 〜 14:00

[19p-C42-4] n⁺⁺-GaN—uid-GaNマイクロストライプ構造からのLO様フォノン共鳴放射における光反射層導入効果

〇吉川 大樹¹、林 伯金¹、Hnin Lai Lai Aye¹、上野 耕平²、藤岡 洋²、石谷 善博¹ (1.千葉大院工、2.東京大院)

キーワード：

LOフォノン、GaN、THz