2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-C42-1~15]15.4 III-V族窒化物結晶

2024年9月19日(木) 13:00 〜 17:15
C42 (ホテル日航新潟 4F)
石井 良太(京大)、 小田 将人(和歌山大)、 馬 蓓(千葉大)
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13:00 〜 13:15

[19p-C42-1]III族窒化物半導体ヘテロ構造中の縦光学フォノンエネルギー
の輸送過程

〇石谷 善博1 (1.千葉大工)
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13:15 〜 13:30英語発表

[19p-C42-2]Condition of phonon transport augmentation at GaInN/GaN heterointerface

〇(DC)KhaingShwe TheeEi1, Tatsuya Asaji1, Bei Ma1, Daisuke Iida2, Mohammed A. Najmi2, Kazuhiro Ohkawa2, Yoshihiro Ishitani1 (1.Chiba Univ., 2.KAUST)
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13:30 〜 13:45

[19p-C42-3]フォノン･励起子･輻射モデルにより解析した超薄膜AlN/GaN/AlN量子井戸中の2次元励起子の運動エネルギー輸送過程

〇(D)地崎 匡哉1、石谷 善博1 (1.千葉大院工)
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13:45 〜 14:00

[19p-C42-4]n++-GaN—uid-GaNマイクロストライプ構造からのLO様フォノン共鳴放射における光反射層導入効果

〇吉川 大樹1、林 伯金1、Hnin Lai Lai Aye1、上野 耕平2、藤岡 洋2、石谷 善博1 (1.千葉大院工、2.東京大院)
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14:00 〜 14:15

[19p-C42-5]THz-TDSEによるMgイオン注入したGaN単結晶の電気特性評価(IV)

〇藤井 高志1,2、王 丁丁1、出浦 桃子1、岩本 俊志2、須山 篤志3、荒木 努1 (1.立命館大学、2.日邦プレシジョン、3.イオンテクノセンター)
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14:30 〜 14:45

[19p-C42-6]光熱偏向分光法による欠陥密度定量化に向けたGaNバルク評価

〇角谷 正友1、藤倉 序章2、中野 由崇3、小出 康夫1、本田 徹4 (1.物材機構、2.住友化学㈱、3.中部大、4.工学院大)
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14:45 〜 15:00

[19p-C42-7]GaNトンネル接合中に形成されたバンドギャップ内準位の解析

〇(M1)近藤 泉樹1、市川 颯人1、宇田 陽1、今井 大地1、竹内 哲也1、宮嶋 孝夫1 (1.名城大院理工)
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15:00 〜 15:15

[19p-C42-8]GaNの光熱偏向分光スペクトルと吸収係数の関係に関する考察

〇夏目 果代子1、野田 幸樹1、西畑 陽貴1、今井 大地1、三好 実人2、竹内 哲也1、宮嶋 孝夫1 (1.名城大院理工、2.名工大)
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15:15 〜 15:30

[19p-C42-9]光熱偏向分光法による GaN の熱物性解析に対する液体媒質の影響

〇(M1)田中 翔1、野村 麻友1、山迫 希1、今井 大地1、宮嶋 孝夫1 (1.名城大院理工)
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15:30 〜 15:45

[19p-C42-10]GaN/Al1-xInxN多重積層構造におけるバンドギャップ内準位の解析

〇(M1)西畑 陽貴1、野田 幸樹1、小林 憲汰1、夏目 果代子1、今井 大地1、竹内 哲也1、宮嶋 孝夫1 (1.名城大院理工)
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16:00 〜 16:15奨励賞エントリー

[19p-C42-11]高純度GaN結晶の内部量子効率マッピング測定

〇佐野 昂志1、藤倉 序章2、今野 泰一郎2、金木 奨太2、市川 修平1、小島 一信1 (1.阪大院工、2.住友化学株式会社)
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16:15 〜 16:30奨励賞エントリー

[19p-C42-12]k・p摂動法による低In組成領域におけるInGaNの変形ポテンシャルの決定

〇森 恵人1、山口 敦史2、市川 修平1、小島 一信1 (1.阪大院工、2.金沢工大院工)
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16:30 〜 16:45奨励賞エントリー

[19p-C42-13]InGaN単一量子井戸におけるフォトルミネセンス寿命の波長依存性

〇新保 樹1、土佐 宏樹1、山口 敦史1、岩満 一功2、冨谷 茂隆2 (1.金沢工大、2.奈良先端大)
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16:45 〜 17:00奨励賞エントリー

[19p-C42-14]ストライプコアGaN基板上InGaN量子井戸における光音響・発光同時計測および時間分解PL測定の顕微ラインスキャン

〇神野 翔綺1、森 恵人1、山口 敦史1、草薙 進2、蟹谷 裕也2、冨谷 茂隆2、工藤 喜弘2 (1.金沢工大、2.ソニーセミコンダクタソリューションズ)
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17:00 〜 17:15奨励賞エントリー英語発表

[19p-C42-15]Time-resolved photoluminescence study on red InGaN hybrid single-quantum-wells under selective excitation conditions

〇(D)Zhaozong Zhang1, Ryota Ishii1, Kanako Shojiki1, Mitsuru Funato1, Daisuke Iida2, Kazuhiro Ohkawa2, Yoichi Kawakami1 (1.Kyoto Univ., 2.KAUST)
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