[19p-D61-1~18] 2.1 検出器デバイス開発

15:45 〜 16:00

[19p-D61-11] TlBr半導体の二次元キャリア輸送特性評価可能範囲に関する検討

〇須貝 優介¹、渡辺 賢一¹、長谷川 創大¹、田中 清志郎¹、野上 光博²、人見 啓太郎² (1.九大工、2.東北大工)

キーワード：

化合物半導体、臭化タリウム

TlBrはガンマ線検出器材料として開発が進められている化合物半導体の一つである。大型で高品質なTlBr検出器を実現するためには、均一な電荷輸送特性を持つ結晶の育成が必要である。パルスレーザーを結晶表面に照射して生成された電荷キャリアの輸送特性の二次元分布を評価するシステムを構築、改善を重ねている。今回は、照射位置により信号波形の形状に違いが生じる原因について考察し、評価可能範囲についての検討を進めた。