[19p-D62-1~17] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

17:15 〜 17:30

[19p-D62-15] 超伝導デバイスを用いたSiO₂/Si界面を持つSiO₂層のフォノン減衰長の測定

〇(M2)飯塚 竜也¹、Jutarat Tanarom¹、水柿 義直¹、島田 宏¹ (1.電通大情報理工)

キーワード：

フォノン、極低温、超伝導デバイス

本研究ではSiO₂/Si基板上にフォノン発生器として超伝導量子干渉計、フォノン検出器として単一クーパー対トランジスタ（いずれもAl製）を作製し、フォノン（約90 GHz）の発生、検出実験を数十mK下で行った。デバイス間距離を適宜変化させて測定を行い、検出器へのフォノン到達度のデバイス間距離依存性を調査した。測定結果からフォノン減衰長を求め、SiO₂/Si界面における透過率の情報を得られる。