[19p-D62-1~17] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

14:15 〜 14:30奨励賞エントリー

[19p-D62-5] サーモリフレクタンス法とGibbs Excessモデルの検証とその応用

〇永廣 怜平¹、前田 晃輔¹、Isotta Eleonora²、Jiang Shizhou²、Snyder G. Jeffrey²、Balogun Oluwaseyi²、塩見 淳一郎¹ (1.東大工、2.Northwestern大)

キーワード：

界面熱抵抗、熱伝導率、サーモリフレクタンス

多結晶体の粒界・界面は、フォノン散乱により材料の熱伝導率を著しく低下させる。この際，界面熱抵抗（TBR）は、材料の熱輸送特性を理解する上で重要である。本研究では、サーモリフレクタンス法とGibbs Excess法を用いて、表面活性化接合による均質なシリコン界面を作製し同一界面で得られるTBRの比較・検証を行う。また，放電プラズマ焼結による多結晶シリコン界面のTBRを測定した応用についても発表する．