[19p-D63-1~7] 9.3 ナノエレクトロニクス

13:00 〜 13:30

[19p-D63-1] [分科内招待講演] EBLとELGPによるナノ構造造形とデバイス応用の展開

〇真島 豊¹ (1.東工大研究院)

キーワード：

ナノ電子デバイス、電子線リソグラフィ、無電解金めっき

本報告では電子線リソグラフィ(EBL)と独自の無電解金めっき(ELGP)を用いたナノ構造造形を紹介する。また、ナノスケールにおける内部応力と強電界を利用したデバイス応用として、一つのπ共役分子を半導体として用いる単分子トランジスタ、ELGPナノポアDNAシーケンサー、ナノギャップガスセンサー、二次元強誘電半導体を用いた面内分極強誘電電界効果型トランジスタメモリ、ナノ構造誘起L1₀規則化CoPt強磁性ナノワイヤなどについて紹介する。