[19p-D63-1~7] 9.3 ナノエレクトロニクス

13:30 〜 13:45

[19p-D63-2] エレクトロマイグレーション法によるナノギャップ形成のSiO₂膜被覆効果の検証

〇(M2)筒井 優貴^1,2、島 久²、秋永 広幸²、菅 洋志¹、内藤 泰久² (1.千葉工大、2.産総研)

キーワード：

ナノギャップ、エレクトロマイグレーション

Ptナノギャップ電極は600℃の高温環境でも不揮発性メモリ動作することが確認されており，ナノギャップの形状が高温耐性に影響することが報告されている．我々は，ナノギャップにアルミナ膜を被覆することで，スイッチ動作中の構造変化量を抑制できることを示した．本報告では，シリコンデバイスでより一般的に使用されるSiO₂膜で被覆を行い，ナノギャップの形成構造の差異について報告する．