[19p-P05-1~33] 21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」（ポスター）

[19p-P05-17] c面サファイアへのナノ粒子分散 (Zn,Mg)O 薄膜のミストCVD

〇齋藤 日菜¹、大久津 武¹、田中 京輔¹、光野 徹也¹、小南 裕子¹、原 和彦^1,2,3 (1.静岡大総合研、2.静岡大光医工研、3.静岡大電子)

キーワード：

ミストCVD、薄膜成長、酸化亜鉛

近年、新たな発光材料として注目されているナノ粒子一般にガラスまたは樹脂中に分散させて利用されるが、本研究室ではバンドギャップの大きい半導体薄膜(バリア層)中に、それよりもバンドギャップの小さいナノ粒子を分散させたナノ粒子分散半導体薄膜を提案した。(Zn,Mg)O薄膜とZnOナノ粒子の組み合わせに注目し、サファイア基板上にミスト化学気相成長(CVD)法により、試料作製を進めている。この方法においては、原料溶液中にナノ粒子を分散させておくことにより、ナノ粒子がミスト中に含まれた状態で輸送される。今回は基板の面方位に着目し、膜形成および特性に与える影響を調べた。