セッション詳細

[19p-P05-1~33]21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」(ポスター)

2024年9月19日(木) 13:30 〜 15:30
P05 (展示ホールA)

[19p-P05-1]【講演欠席】ミスト CVD 法による β-Ga2O3(010)および(001)基板上へのホモエピタキ シャル成長

〇赤岩 和明1、富田 健稔2、姚 永昭3、柿本 浩一2、吉川 彰2 (1.鳥取大学、2.東北大学、3.三重大学)
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[19p-P05-2]Mist CVD法β-Ga2O3成膜における不純物取り込みの検討

〇(M2)杉谷 諒1、山口 智広1、阿部 翔平1、佐々木 公平2、倉又 朗人2、本田 徹1、尾沼 猛儀1 (1.工学院大学、2.(株)ノベルクリスタルテクノロジー)
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[19p-P05-3]Mist CVD法におけるα-Ga2O3成長用Ga(C5H7O2)3水溶液の静置時間変化

〇(M2)山田 琴乃1、山本 拓実1、永井 裕己1、尾沼 猛儀1、本田 徹1、山口 智広1 (1.工学院大学)
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[19p-P05-4]β-Ga2O3 (001) エピタキシャル基板におけるWake型エッチピットに対応する積層欠陥解析

〇寺田 文軌1、蓮池 紀幸1、一色 俊之1、小林 健二2、藤谷 武史2、石川 由加里3、姚 永昭3,4 (1.京都工繊大、2.(株)日立ハイテク、3.(一財)ファインセラミックスセンター、4.三重大)
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[19p-P05-5]α-Al2O3上及びアモルファスSiO2上へのMist CVD法In2O3成膜における原料溶液添加塩酸濃度依存性

〇(M1)石川 諒1、山本 拓実1、林 佑哉1、相川 慎也1、尾沼 猛儀1、本田 徹1、山口 智広1 (1.工学院大)
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[19p-P05-6]TiO2をソルベントとしたFZ法によるβ-Ga2O3単結晶の育成

飯塚 啓人1、〇八巻 和宏1、鈴木 賀敦1、手塚 慶太郎1、入江 晃亘1 (1.宇都宮大工)
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[19p-P05-7]FZ 法による Si 添加 β-Ga2O3単結晶の育成

〇(M1)鈴木 賀敦1、八巻 和宏1、入江 晃亘1 (1.宇都宮大工)
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[19p-P05-8]ミストCVDによるZnOナノ粒子分散Ga2O3薄膜の作製と構造評価

〇大久津 武1、田中 京輔1、斎藤 日菜1、田村 葵1、光野 徹也1、小南 裕子1、原 和彦1,2,3 (1.静岡大学総研、2.静岡大光医工、3.静岡大電研)
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[19p-P05-9]高エネルギーH,Heイオン照射したβ-Ga2O3エピ基板の欠陥準位評価

〇中野 由崇1、伊藤 成志2 (1.中部大工、2.住重アテックス)
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[19p-P05-10]β-Ga2O3 (100)結晶のテラヘルツ~可視領域における偏光透過スペクトル

〇丸山 桜大1、湯葢 邦夫2,3、菅原 孝昌2、豊田 英之1、石川 真人4、加藤 有行1、鵜沼 毅也1 (1.長岡技科大院工、2.東北大金研、3.九大院工、4.千葉大理)
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[19p-P05-11]ε-GaFeO3基板上κ-Ga2O3エピタキシャル薄膜の圧電応答力顕微鏡測定

〇宮戸 祐治1、大西 晃佑1、山田 啓文1、西中 浩之2 (1.龍谷大 先端理工、2.京都工繊大 工芸)
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[19p-P05-12](RhGa)2O3および(RhAl)2O3の構造安定性および電子状態の理論解析

〇松原 健太1、秋山 亨1、河村 貴宏1 (1.三重大院工)
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[19p-P05-13]ナノインデンテーション法によるVB法で育成したβ-Ga2O3単結晶の強度評価

〇(M1C)小川 颯大1、太子 敏則1 (1.信州大工)
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[19p-P05-14]ZnGa2O4薄膜における深紫外線照射下のインピーダンス特性

〇(M1)加瀬 伶也1、前田 竜之介1、小熊 佑弥1、山本 和貫2、石井 聡1 (1.東京電機大、2.千葉大院工)
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[19p-P05-15]r-GexSn1-xO2/r-SnO2超格子の作製と構造解析

〇高橋 由依1、高根 倫史1、若松 岳1、磯部 優貴1、金子 健太郎2、田中 勝久1 (1.京大、2.立命館大)
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[19p-P05-16]RFリアクティブマグネトロンスパッタ成膜NiOエピタキシャル薄膜の低温バッファ層の導入が与える影響

〇服部 汰星1、杉山 睦1,2 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研)
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[19p-P05-17]c面サファイアへのナノ粒子分散 (Zn,Mg)O 薄膜のミストCVD

〇齋藤 日菜1、大久津 武1、田中 京輔1、光野 徹也1、小南 裕子1、原 和彦1,2,3 (1.静岡大総合研、2.静岡大光医工研、3.静岡大電子)
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[19p-P05-18]/ce{Ar + N2}混合雰囲気で成膜したN添加ZnO膜の特性評価

〇大森 陽生1、山田 祐美加1,2、舩木 修平1、山田 容士1 (1.島根大学、2.(株)コベルコ科研)
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[19p-P05-19]ZnO膜の電気特性におけるN添加とアニールの効果

〇山田 祐美加1,2、大森 陽生2、舩木 修平2、山田 容士2 (1.コベルコ科研、2.島根大自然)
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[19p-P05-20]アニーリングによるTiドープZnO透明導電薄膜の特性評価

〇宇津 直哉1、相川 慎也2、鷹野 一朗2 (1.工学院大院、2.工学院大工)
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[19p-P05-21]反応性スパッタリングで作製したZrドープZnO薄膜の諸特性

〇(M1C)松本 幸祐1、鷹野 一朗2 (1.工学院大院、2.工学院大工)
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[19p-P05-22]ZnO層の硫化処理によるZn(O,S)層の形成がp-NiO/n-ZnO太陽電池へ与える影響

〇笠 春輝1、小出 祐菜1、杉山 睦1,2 (1.東理大 創域理工、2.東理大 総研)
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[19p-P05-23]アルミニウム薄膜を用いたIn-Ga-Zn-Oの金属誘起結晶化

〇西村 宥紀1、髙橋 崇典1、星川 輝1、川戸 勇人1、浦岡 行治1 (1.奈良先端大)
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[19p-P05-24]固相結晶化した多結晶 In2O3薄膜における格子定数の膜厚依存性評価

〇大野 知晟1、髙橋 崇典1、川戸 勇人1、星川 輝1、浦岡 行治1 (1.奈良先端大)
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[19p-P05-25]非晶質Ga-Sn-O TFTのトランジスタ特性のスパッタ成膜投入電力依存性

〇(M1)篠田 太陽1、木村 睦1,2、河西 秀典2 (1.龍谷大院先端理工、2.革材プロ研センター)
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[19p-P05-26]マグネトロンスパッタ法により低温プロセスで作製したSnO2透明導電膜の低比抵抗化に関する研究

〇(M1C)藤本 穏1,3、岡 伸人1、西田 哲明2、野本 淳一3、鯉田 崇3 (1.近畿大産、2.環境材料研究所、3.産総研)
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[19p-P05-27]Post-Annealing derived Mist CVD AlOx/AlxM1-xOy (M=Al, Hf) Properties for High-Temperature Sensors Applications

〇(PC)Abdul A Kuddus1, Keiji Ueno2, Hajime Shirai2, Shinichiro Mouri1 (1.Ritsumeikan Univ., 2.Saitama Univ.)
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[19p-P05-28]溶液法IZO薄膜のUPSピークとオゾン検出感度の関係

〇笹島 宏青1、森本 貴明1、石井 啓介1 (1.防衛大)
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[19p-P05-29]Thermal Diffusion type Indium Doping in ZnO Nanoparticles

〇(D)Abdul Md Halim1, Toshiyuki Yoshida1, Yasuhisa Fujita1 (1.Shimane University)
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[19p-P05-30]ESRを用いた水熱合成法で育成したZnO単結晶中の欠陥と不純物の評価

〇阿部 貴美1、長田 洋1、Wiens Eli2、Belev George2、Sammynaiken Ramaswami2、Kasap Safa3 (1.岩手大、2.SSSC、3.Univ. of Sask.)
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[19p-P05-31]大電力パルスマグネトロンスパッタを用いた結晶性IGZOの成膜

〇永田 健人1、太田 和哉2、竹中 弘祐2、節原 裕一2、太田 貴之1 (1.名城大理工、2.阪大接合研)
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[19p-P05-32]Study the deposition mechanism for ZnO thin films using a novel deposition method, “Electrostatic Spray Deposition” and property measurement

〇(D)Fysol Ibna1,2, Mutsumi Sugiyama1,3 (1.Department of Electrical Engineering, Tokyo University of Science, 2.University of Dhaka, Faculty of Science, Dhaka-1000, Bangladesh, 3.Research Institrute, RIST, Tokyo University of Scienece)
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[19p-P05-33]Thermal Pressing Effect on sprayed n-type and p-type ZnO Nanoparticle Layers

〇(M2)Shrestha Dey Monty, Toshiyuki Yoshida, Yasuhisa Fujita
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