講演情報
[19p-P07-3]超薄層化した吸収層による透過型GaAs太陽電池の開発
〇渡辺 健太郎1、Sodabanlu Hassanet1、浅見 明太1、中野 義昭1,2、杉山 正和1,2 (1.東大先端研、2.東大工)
キーワード:
太陽電池、III-V族化合物半導体、光マネジメント
吸収層を超薄膜化することで透過型GaAs太陽電池の開発を実施した。MOVPEによってデバイス層を結晶成長したのち、透明石英基板上に裏面櫛型電極を形成したデバイス層を転写することで太陽電池の試作を行った結果、可視光域に透過性をある程度維持した状態で発電する太陽電池素子として機能することが示された。
コメント
コメントの閲覧・投稿にはログインが必要です。ログイン