2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
詳細検索

講演情報

[19p-P09-6]MBE法を用いたBeドープInSb薄膜の成長と電気的特性評価

〇(M2)星野 陸1、漆戸 祐哉1、矢口 裕之1、藤川 紗千恵1 (1.埼玉大院理工)

キーワード：

MBE、半導体

コメント

コメントの閲覧・投稿にはログインが必要です。ログイン

セッション詳細へ戻る