セッション詳細

[19p-P09-1~15]15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2024年9月19日(木) 16:00 〜 18:00
P09 (展示ホールA)

[19p-P09-1]光伝導度測定によるアンドープGaAs/GaAsN 超格子の評価

〇若杉 遼太1、梅木 蒼生1、守田 璃子1、塚崎 貴司1、藤田 実樹2、牧本 俊樹1 (1.早大理工、2.一関高専)
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[19p-P09-2]アニールしたSiドープGaAsNの電気的特性

〇吉田 知生1、佐々木 大航1、塚崎 貴司1、藤田 実樹2、牧本 俊樹1 (1.早大理工、2.一関高専)
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[19p-P09-3]PL法を用いたBeドープGaAsNの成長温度依存性の評価

〇田中 創太1、藤田 実樹2、塚崎 貴司1、牧本 俊樹1 (1.早大理工、2.一関高専)
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[19p-P09-4]BeドープAlGaAsNにおける電気伝導機構

〇小野 芳樹1、井上 洸1、南 奈津1、塚崎 貴司1、藤田 実樹2、牧本 俊樹1 (1.早大理工、2.一関高専)
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[19p-P09-5]アンチモンサーファクタントを利用して成長したGaPN混晶のフォトルミネッセンスによる評価

〇(M2)八木 航哉1、斎田 響1、八木 修平1、矢口 裕之1、久野 倭2、山根 啓輔2 (1.埼玉大院理工、2.豊橋技科大)
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[19p-P09-6]MBE法を用いたBeドープInSb薄膜の成長と電気的特性評価

〇(M2)星野 陸1、漆戸 祐哉1、矢口 裕之1、藤川 紗千恵1 (1.埼玉大院理工)
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[19p-P09-7]Sb照射によりGaSbを形成したGaAs基板上へのInSbのAsフリー成長

〇白川 裕暉1、額賀 陽平1、矢口 裕之1、藤川 紗千恵1 (1.埼玉大院理工)
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[19p-P09-8]スパッタ法によるSnドープ及びZn変調ドープInSb1-xNx薄膜成長

〇藤川 紗千恵1、有路 結斗1、矢口 裕之1 (1.埼玉大学院理工)
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[19p-P09-9]マグネトロンスパッタ法によるInSb1-xNx 薄膜を用いたPIN 構造の作製

〇(M1)有路 結斗1、矢口 裕之1、藤川 紗千恵1 (1.埼玉大院理工)
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[19p-P09-10]InSb/Ga0.22In0.78Sb複合チャネルHEMT構造における電子移動度の向上

〇大場 達久1、神内 智揮1、海老原 怜央1、中島 渉1、渡邊 一世2,1、山下 良美2、町田 龍人2、原 紳介2、笠松 章史2、遠藤 聡1、藤代 博記1 (1.東理大先進工、2.情報通信研究機構)
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[19p-P09-11]ダブルドープInSb/Ga0.22In0.78Sb複合チャネルHEMT構造の電気的特性

〇(M1C)中島 渉1、神内 智輝1、海老原 怜央1、大場 達久1、渡邉 一世2、町田 龍人2、山下 良美2、原 紳介2、笠松 章史2、遠藤 聡1、藤代 博記1 (1.東理大先進工、2.情報通信研究機構)
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[19p-P09-12]GaSb上InSb量子ドットからの発光波長の積層による長波長化

〇小野田 悠人1、桑原 笑明1、大湊 空1、牛頭 信一郎2、藤代 博記1、遠藤 聡1 (1.東理大先進工、2.産総研)
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[19p-P09-13]InGaAs量子ドットの積層数を変えたスピン偏極発光ダイオードの研究

〇田中 壱1、沈 承赫1、江藤 亘平1、樋浦 諭志1、高山 純一1、スバギョ アグス1、末岡 和久1、村山 明宏1 (1.北大院情報科学)
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[19p-P09-14]Carrier dynamics in 2D and 3D SML nanostructures by power-dependent PL

〇Ronel Intal Roca1, Itaru Kamiya1 (1.Toyota Tech. Inst.)
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[19p-P09-15]CVDダイヤモンド基板上へのGaAs MBE成長(3)

〇木内 翔也1、大島 龍司1、飯塚 完司1 (1.日工大)
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