[20a-A22-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9:15 〜 9:30

[20a-A22-2] 硫化アニールによる SnS 薄膜作製：硫黄原料粉末仕込み量による高純度化の検討

〇渡邉 大輝¹、守屋 賢人¹、相川 慎也¹ (1.工学院大工)

キーワード：

硫化スズ、硫黄粉末、硫化物半導体