2024年第85回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)21 合同セッションＫ「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」：21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-A22-1~10]21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2024年9月20日(金) 9:00 〜 11:45
A22 (朱鷺メッセ2F)
西中 浩之(京都工繊大)
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9:00 〜 9:15

[20a-A22-1]硫黄蒸気アニールにより作製したSnSO4の結合状態評価

〇(M1)守屋 賢人1、渡邉 大輝1、小川 大樹1、山口 智広1、相川 慎也1 (1.工学院大)
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9:15 〜 9:30

[20a-A22-2]硫化アニールによる SnS 薄膜作製：硫黄原料粉末仕込み量による高純度化の検討

〇渡邉 大輝1、守屋 賢人1、相川 慎也1 (1.工学院大工)
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9:30 〜 9:45

[20a-A22-3]低温液相プロセスによるSnO₂薄膜の作製と特性評価

〇(M2)三里 康1、Madan Niraula1、市村 正也1 (1.名工大)
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9:45 〜 10:00

[20a-A22-4]還元雰囲気スパッタリングと成膜後アニーリングによるSnO2ターゲットからのSnO製作最適化

〇小林 翔1、木菱 完太1、相川 慎也1 (1.工学院大工)
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10:00 〜 10:15

[20a-A22-5]TEM観察を用いたTiO2 (001)基板上ルチル型GeO2薄膜の構造解析

〇(D)高根 倫史1、小西 伸弥1、大多 亮2、早坂 祐一郎3、若松 岳1、磯部 優貴1、金子 健太郎4、田中 勝久1 (1.京大、2.北大、3.東北大、4.立命館大)
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10:30 〜 10:45

[20a-A22-6]ミストCVD法により作製した酸化亜鉛薄膜の熱処理による特性変化

〇大橋 亮介1、安岡 龍哉1、岡田 達樹1、川原村 敏幸1,2 (1.高知工科大シス工、2.総研)
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10:45 〜 11:00

[20a-A22-7]Cu, N共添加ZnO薄膜の電気特性の熱処理温度依存性

〇田中 雅樹1、勝俣 裕1 (1.明大理工)
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11:00 〜 11:15

[20a-A22-8]表面実装パッケージ型ZnO圧力センサの圧力応答性評価

〇遠藤 治之1、二瓶 貴之1、目黒 和幸1、小田 英樹1、柏葉 安兵衛2 (1.岩手県工技センタ、2.岩手大)
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11:15 〜 11:30

[20a-A22-9]岩塩構造MgZnO混晶のバンド端付近における光学特性

〇三富 俊希1、小川 広太郎1、田中 恭輔1、根本 亮佑1、太田 優一2、山口 智広1、本田 徹1、尾沼 猛儀1 (1.工学院大、2.富山県立大)
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11:30 〜 11:45

[20a-A22-10]ミストCVD法を用いたLiGa5O8薄膜のエピタキシャル成長

〇池之上 卓己1、堀内 亮1、三宅 正男1 (1.京大院エネ科)
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