[20a-A34-1~11] 3.8 テラヘルツ全般

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[20a-A34-2] GaN系10THz帯量子カスケードレーザー光利得のドーピング濃度依存性

〇(M1)高橋 瞳瑠^1,2、王 利¹、藤川 紗千恵^1,2、矢口 裕之²、平山 秀樹¹ (1.理研、2.埼玉大院理工)

キーワード：

量子カスケードレーザ、半導体