[20a-B3-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

11:15 〜 11:30

[20a-B3-8] 液体ターゲットを用いたスパッタ法による酸化ガリウム薄膜の形成

〇小柳 剛¹、山田 直樹¹、藤井 隆満² (1.山口大院創成科学、2.TAK薄膜デバイス)

キーワード：

パワー半導体、酸化物薄膜、スパッタ法

液体ガリウムターゲットを用いたスパッタ法により酸化ガリウム薄膜を形成した．基板温度８５０度にてサファイア基板上にエピタキシャル成長することを確認した．