[20a-C42-1~9] 新宇宙時代に求められるスペースフォトニクス

12:00 〜 12:15

[20a-C42-9] 中性子線照射が高Q値シリコンナノ共振器に与える吸収損失の評価

〇石原 歩¹、奥野 泰希²、髙濵 渉¹、大塚 亘晟¹、高橋 和¹ (1.大阪公立大学、2.理化学研究所)

キーワード：

シリコンフォトニクス

人工衛星のデータ量増加に伴い、地上で使用されるシリコントランシーバ技術の宇宙応用が検討されているが、宇宙空間では放射線が電子機器に悪影響を及ぼすため、シリコンフォトニクス素子の放射線耐性を明らかにする必要がある。我々が開発した高Q値シリコンナノ共振器に放射線を照射すると、光吸収の増加を定量的に見積もることができる。今回，中性子線照射が高Q値ナノ共振器に与える吸収損失の増大を評価したので報告する。