[20a-P02-1~22] 3.11 ナノ領域光科学･近接場光学

[20a-P02-5] グラフェン/Siメタサーフェス構造を用いた近赤外波長帯における垂直入射型光変調器・受光器

〇前田 浩希¹、Rongyang Xu²、岩崎 拓哉³、佐藤 遥大⁴、渡邊 賢司³、谷口 尚³、森山 悟士⁴、藤方 潤一¹、高原 淳一² (1.徳島大、2.大阪大、3.物質・材料研究機構、4.東京電機大)

キーワード：

メタサーフェス、グラフェン、光制御デバイス

近年，IoTの普及に伴いデータ通信トラフィックが顕著に増加しており，空間光多重による大容量光通信技術が注目されている．本研究では，中空型Si メタサーフェスにおいて，材料損失と放射損失を一致させることで完全吸収を達成する縮退臨界結合に着目し，グラフェン電界効果トランジスタ（FET）と中空型 Si メタサーフェ ス構造を用いた近赤外波長帯における垂直入射型光変調器・受光器について検討した。