[20a-P05-1~3] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[20a-P05-2] Si トレンチ構造底部からの光電子の検出とその特性

〇(M1)村瀬 詩花¹、東 知樹¹、稲垣 耕司¹、有馬 健太¹ (1.阪大院工)

キーワード：

半導体表面、三次元構造、X線光電子分光法

近年の半導体素子は，三次元構造を駆使した高集積化が進んでいる。デバイスの製造工程において，狭小な隙間を構成する半導体表面における吸着物の種類や濃度の把握は喫緊の課題である。我々は，高アスペクト比構造の底部に異種元素を埋め込む試料作製法と，角度分解X線光電子分光測定を組み合わせ，底部の表面状態を非破壊で評価する手法を提案する。今回は，Si トレンチ構造に対し，その原理検証を行った結果について述べる。