[20p-A32-1~11] 8.1 プラズマ生成・診断

13:30 〜 13:45

[20p-A32-1] 協同的トムソン散乱法を利用したレーザー生成EUV光源用Snプラズマ内電子温度・密度の能動的制御

〇(M2)中山 珠樹¹、富田 健太郎¹、パン イーミン¹、篠田 樹¹ (1.北海道大学)

キーワード：

協同的トムソン散乱

最先端半導体露光方式であるEUV露光では、レーザー生成プラズマからの波長13.5 nmの放射が利用されている。EUV出力増加と露光システム全体の低消費電力化の両立が求められる中、プラズマ生成手順を様々に工夫し、EUV発生の効率向上が試みられてきた。しかし、EUV発光と直結するプラズマの電子温度・密度を基準とした制御は未発達である。本研究では協同的トムソン散乱法により電子温度・密度を計測しつつ、光源プラズマ制御を試みた。