[20p-A41-1~8] KS.1 固体量子センサ研究会

15:15 〜 15:30

[20p-A41-7] 炭化ケイ素シリコン空孔荷電状態安定性の定量的解析

〇山崎 雄一¹、明石 遼介¹、花輪 雅史²、村田 晃一²、佐藤 真一郎¹、宮脇 信正¹、圓谷 志郎¹、増山 雄太¹、西谷 侑将^3,4、松下 雄一郎^1,3,4、土田 秀一²、好田 誠^1,5、大島 武^1,5 (1.量研、2.電中研、3.Quemix、4.東大、5.東北大)

キーワード：

スピン欠陥、荷電状態安定性、定量的解析

炭化ケイ素(SiC)中のシリコン空孔(Vsi)荷電状態安定性のドーピング量・タイプおよびVsi濃度依存性について体系的な調査を行った結果について、理論モデルに基づいた定量的な解析を行った。ドーパント補償効果および光照射下におけるVC(炭素空孔)⁺からVSi⁰への伝導帯を経由した電子移動の2つを考慮したキャリア授受モデルを構築、実験結果を概ね再現可能であることを確かめた。