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[20p-A41-8]室温における4H-SiC中V2中心蛍光の偏光特性

〇(P)西川 哲理1、森岡 直也1,2、阿部 浩之3、大島 武3,4、水落 憲和1,2,5 (1.京大化研、2.京大スピンセンター、3.量研、4.東北大、5.QUP KEK)
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キーワード:

シリコン空孔、カラーセンター、炭化ケイ素

量子技術応用が期待されている4H-SiC中のシリコン空孔(V2中心)は、二つの励起状態(ES1,2)を持つと考えられているが、ES2は存在を示唆されつつも光学特性に与える詳細な影響は不明なままだった。本研究では単一V2中心を(0001)面及び(1-100)面から測定することで、ES2の存在を示す偏光特性を観測することに成功した。また、(1-100)面測定により、(0001)面測定時よりトータルの蛍光強度が増加することを発見した。本発表ではこれらの詳細について議論する。

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