[20p-C43-1~11] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

15:15 〜 15:30

[20p-C43-9] 機械学習を用いた離散不純物によるMOSFET閾値電圧ばらつきの統計的な解析

〇関 翔太^1,2、長田 圭一¹、髙石 将輝¹、笠原 亮太郎^1,2、沓掛 健太朗^2,3、宇治原 徹^1,2,3 (1.アイクリスタル、2.名大院工、3.名大未来研)

キーワード：

半導体、デバイスシミュレーション、機械学習

半導体デバイスの微細化により、離散的な不純物ばらつきがデバイス特性ばらつきの要因となっている。ばらつきの統計的な予測を行うには様々な離散不純物配置での計算が大量に必要となる。本講演では機械学習を用いてデバイスシミュレーションを高速化し、大量の離散不純物配置での閾値電圧を予測し、ばらつきの統計的な考察を行なった。