セッション詳細
[20p-C43-1~11]13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
2024年9月20日(金) 13:00 〜 16:00
C43 (ホテル日航新潟 4F)
森 伸也(阪大)、 蓮沼 隆(筑波大)
[20p-C43-2]ナノカーボンの触媒作用を援用した半導体表面の選択エッチング
-エッチング液と接触する触媒/半導体界面での正孔注入と拡散制御の試み-
〇山本 聖也1、李 君寰1、稲垣 耕司1、有馬 健太1 (1.阪大院工)
[20p-C43-3]The influence of Ar/N2 gas flow ratio on the electrical characteristics of ferroelectric hafnium nitride formed by ECR-plasma sputtering
〇KANGBAI LI1, Shun-ichiro Ohmi1 (1.Tokyo Tech.)
[20p-C43-7]パターニングしたSi(111)基板上に成長したPドープ歪みSiGe/Geの電気伝導特性
〇武井 爽一郎1、菊岡 柊1、奥谷 惇1、石橋 脩悟1、山田 道洋1、浜屋 宏平2,3、澤野 憲太郎1 (1.東京都市大学、2.阪大基礎工CSRN、3.阪大 OTRI)
[20p-C43-8]Synthetic Image Generation of Microstructure Surfaces Using Physically Based Rendering Techniques
Zhen-Wei Tsai1, 〇(M1)Chao-Ching Ho1 (1.Nat'l Taipei Uni. of Tech.)
[20p-C43-9]機械学習を用いた離散不純物によるMOSFET閾値電圧ばらつきの統計的な解析
〇関 翔太1,2、長田 圭一1、髙石 将輝1、笠原 亮太郎1,2、沓掛 健太朗2,3、宇治原 徹1,2,3 (1.アイクリスタル、2.名大院工、3.名大未来研)