[20p-D61-1~14] 10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）

14:45 〜 15:00

[20p-D61-7] イオン注入によりSi中に形成した強磁性マンガンシリサイドナノ粒子

〇大杉 廉人¹、河野 慎¹、若林 勇希¹、クロッケンバーガー ヨシハル¹、角倉 久史¹、登坂 仁一郎¹、西口 克彦¹ (1.NTT物性研)

キーワード：

シリサイド、ナノ粒子、磁性

シリコン(Si)中磁性ナノ粒子のデバイス応用を目指し、イオン注入という既存のSiトランジスタ作製技術によるマンガン(Mn)シリサイド磁性ナノ粒子の形成とその特性制御法を調べた。具体的には、Si基板にMnを注入する際のイオン注入エネルギーを制御することでMnシリサイド粒径と、それに関連する磁性が変化することがわかった。この発見はSiデバイスと親和性のある磁性ナノ粒子デバイスの開発につながる。