講演情報
[10a-A23-6]Porous Si基板における気孔率および孔の深さが
GaAs薄膜成長の表面に与える影響
〇吉富 遼1、佐久間 桃子1、鈴木 秀俊1 (1.宮崎大工)
キーワード：
MBE、Porous Si、III-V族
P型Porous Si(001)基板上にMBE法でGaAs薄膜を成長し、気孔率が成長過程に与える影響をRHEEDとSEMで評価した。膜厚増加に伴い格子定数はSiからGaAsへ近づき、気孔率が低いほど少ない膜厚で格子緩和が進行した。また、回転双晶は成長とともに減少したが、気孔率30 %では成長後も残存した。これは大きな孔に起因して双晶が形成されやすく、平坦化により消失するまでにより厚い膜が必要なためと考えられる。