2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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一般セッション(口頭講演)15 結晶工学：15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[10a-A23-1~12]15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2026年9月10日(木) 9:00 〜 12:15
A23 (情報研究棟)
9:00 〜 9:15

[10a-A23-1]高Al組成メタモルフィックInAlAs/GaAs(111)A上のInAs量子ドットの自己形成

〇間野 高明1、大竹 晃浩1、Kulesh Nikita1、Bolyachikin Anton1、門平 卓也1、石田 暢之1、林 侑介1、黒田 隆1 (1.NIMS)
9:15 〜 9:30

[10a-A23-2]極性制御されたGaAs/Ge/GaAs{111}構造におけるバンドオフセット

〇大竹 晃浩1、間野 高明1、石田 暢之1、三石 和貴1、林 侑介1、山岸 佑真2、中村 淳2 (1.NIMS、2.電通大)
9:30 〜 9:45

[10a-A23-3]GaAs基板上に界面不整合バッファ層を介して成長したInAs二次元電子系の輸送特性

〇秋保 貴史1、中澤 佑介1、入江 宏1、熊田 倫雄1、村木 康二1 (1.NTT物性研)
9:45 〜 10:00

[10a-A23-4]HVPE法でGaAs基板上に作製されたInGaPバッファー層の逆格子マッピングを用いた結晶性の面内不均一評価

〇山本 隆太1、橋本 直樹1、大島 隆治2、菅谷 武芳2、鈴木 秀俊1 (1.宮崎大工、2.産総研)
10:00 〜 10:15

[10a-A23-5]ALE法で作製されたGaAsN/GaAs超構造薄膜におけるN分布の面内不均一性の評価

〇堀場 祐志1、竹尾 虎之助1、古藤 隼人1、河野 将大2、鈴木 秀俊1 (1.宮崎大工、2.豊田工大)
10:15 〜 10:30

[10a-A23-6]Porous Si基板における気孔率および孔の深さが
GaAs薄膜成長の表面に与える影響

〇吉富 遼1、佐久間 桃子1、鈴木 秀俊1 (1.宮崎大工)
10:45 〜 11:00

[10a-A23-7]GaAs/BiSbへテロ構造の分子線エピタキシャル成長

〇河瀬 尽1,2、中間 海音1,2、石川 史太郎2 (1.北大情科院、2.北大量集セ)
11:00 〜 11:15

[10a-A23-8]非晶質前駆体の固相成長による多結晶InAs薄膜の熱電性能向上

〇清野 碩1、野沢 公暉1、Seo Jisol1、末益 崇1、都甲 薫1 (1.筑波大理工)
11:15 〜 11:30

[10a-A23-9]KPZラフ面の表面カイネティクスにおけるIntrinsic step-jamming とその回避法

〇阿久津 典子1,2、寒川 義裕3 (1.大阪電通大、2.京大エネルギー科学、3.九大応力研)
11:30 〜 11:45

[10a-A23-10]希薄窒化GaInNAs/GaAs多重量子井戸の円偏光発光特性の温度依存性

〇多川 英汰1、森田 彩乃1、木瀬 寛都1、峰久 恵輔2、高山 純一1、石川 史太郎2、村山 明宏1、樋浦 諭志1 (1.北大院情報科学、2.北大量子集積)
11:45 〜 12:00

[10a-A23-11]GaAs基板上の1.3 µm帯TypeⅡ量子井戸に対するInGaAsメタモルフィックバッファ層の挿入効果

〇井元 亮汰1、藤澤 剛2、鈴木 秀俊1、横山 宏有1、前田 幸治1、荒井 昌和1 (1.宮崎大工、2.法政大工)
12:00 〜 12:15

[10a-A23-12]Si基板上のGaSb/AlGaSb多重量子井戸における発光スペクトルの温度消光に対する励起子分裂エネルギーの効果

〇王 聖傑1、小島 磨1、赤羽 浩一2 (1.千葉工大工、2.情通機構)
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