[10a-A24-1~11] 12.8 特定テーマ：ペロブスカイト材料の光物性・構造制御・デバイス

11:30 〜 11:45

[10a-A24-10] 高圧下におけるダブルペロブスカイト半導体Cs₂MFeCl₆（M = Na, Fe）
の構造と光物性

〇佐々木 楓¹、中野 智志²、松石 清人¹ (1.筑波大数物、2.物材機構)

キーワード：

ペロブスカイト半導体、高圧

ダブルペロブスカイト半導体Cs₂NaFeCl₆およびCs₂AgFeCl₆の高圧下における構造と光物性を調べた。DACを用いて粉末X線回折、光吸収、ラマン散乱測定を行った。Cs₂NaFeCl₆では20 GPaまで構造相転移は観測されず、温度誘起バンドギャップ変化の78 %が熱励起に起因することを実験的に明らかにした。さらにCs₂AgFeCl₆についても高圧下構造および格子振動の変化を検討した。