講演情報
[10a-A24-9]Ag・In系ダブルペロブスカイト半導体の高圧下の構造物性と光電子物性におけるBi置換効果
〇下田 諒太郎1、中野 智志2、松石 清人1 (1.筑波大数物、2.物材機構)
キーワード：
ペロブスカイト半導体、構造評価
ハロゲン化金属ダブルペロブスカイト半導体は、鉛を含むペロブスカイト半導体と比較して毒性の低さと安定性から、ますます注目を集めている。本研究では、その中でもCs2AgInCl6の高圧下の基礎物性に注目し、InサイトにおけるBi置換が特異な高圧物性に与える影響を調べた。高圧下粉末X線回折測定からはBi置換によって未置換の試料で観測された変調構造を伴う構造相転移の起こり方に変化が生じることが分かった。