[10a-B31-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

11:00 〜 11:15奨励賞エントリー

[10a-B31-8] Si弾性板厚さが単結晶PZT薄膜のキュリー温度に及ぼす影響およびメカニズムの調査

〇(M2)那知 駿作¹、吉田 慎哉¹、勅使河原 明彦¹ (1.芝浦工大)

キーワード：

強誘電体薄膜、単結晶PZT、キュリー温度

高耐熱PZT-MEMSの実現に向け、Si弾性板厚が単結晶PZT薄膜のキュリー温度(Tc)に与える影響を調査した。異なるSi厚のダイヤフラムサンプルにおける誘電率の温度依存性からTcを評価した結果、Si薄化に伴いTcは低下したが、30µm厚さでは上昇現象が維持された。バイメタル理論により概算した熱応力と実測TcのSi弾性板厚依存性は類似しており、熱応力がTc上昇の主要因であることを裏付けた。