セッション詳細
[10a-B31-1~12]6.1 強誘電体薄膜
2026年9月10日(木) 9:00 〜 12:15
B31 (工学部 B棟)
[10a-B31-1][第60回講演奨励賞受賞記念講演] Co置換BiFeO3ナノドットにおける電場印加によるマルチフェロイックドメイン制御の3次元可視化
〇李 邱穆1、Meisenheimer Peter2、Stevenson Paul3、長瀬 泰仁1、重松 圭1,4、Ramesh Ramamoorthy5、東 正樹1,4 (1.東京科学大、2.UC バークレー、3.ノースイースタン大、4.KISTEC、5.ライス大)
[10a-B31-2]Single-Domain BiFeO3 Thin Films Grown by Low-Temperature Hydrothermal Epitaxy for Ferroelectric Photovoltaic Applications
〇(P)Kathirvel Aruchamy1,2, Seiji Nakashima2, Ai I Osaka2, Hironori Fujisawa2, Takuro Kubota3, Hiroshi Uchida3, Hiroshi Funakubo4 (1.JSPS Fellow, 2.Univ. of Hyogo, 3.Sophia Univ., 4.Tokyo Inst. of Tech.)
[10a-B31-3]BiFeO3エピタキシャル薄膜における圧電応答の解析
〇藤原 輝羅1、吉村 武1,2 (1.阪公大工、2.豊橋技科大)
[10a-B31-4]Si上BiFeO3-BaTiO3エピタキシャル薄膜の結晶構造と圧電特性
〇足田 友志1、吉村 武1,2 (1.阪公大院工、2.豊橋技科大)
[10a-B31-5]Domain Wall Engineering: Simulating Nanoscale Electric Field Delivery to Living Cells at Ferroelectric Interfaces
〇ALEXIS BOROWIAK1,2, YOHEI KONO1,2, TAKESHI SHIMI1,2, TAKESHI FUKUMA1,2 (1.Kanazawa Univ., 2.NanoLSI)
[10a-B31-6]ゾルゲル法によるエピタキシャルPb(Zr,Ti)O3薄膜のひずみ誘起ドメイン回転観察
〇(M2)張 寧偉1、孫 霄川1、權 相曉1、神野 伊策1 (1.神戸大工)
[10a-B31-7]パターンド多結晶LaNiO3シード層を用いて作製した単結晶・多結晶PZTコンポジット薄膜の評価
〇塚本 健太1、勅使河原 明彦1、吉田 慎哉1 (1.芝浦工大)
[10a-B31-8]Si弾性板厚さが単結晶PZT薄膜のキュリー温度に及ぼす影響およびメカニズムの調査
〇(M2)那知 駿作1、吉田 慎哉1、勅使河原 明彦1 (1.芝浦工大)
[10a-B31-9]エピタキシャル PbZrO3薄膜の作製およびその反強誘電性
〇(M1)中迫 侑大1、Jumana P J2、權 相曉1、神野 伊策1 (1.神戸大工、2.C-MET Thrissur)
[10a-B31-10](111)配向PbZrO3エピタキシャル薄膜における反強誘電相の安定性に及ぼす膜厚の影響
〇(M1)大谷 晃生1、近藤 真矢1、山田 智明1 (1.名大工)
[10a-B31-11]µ-Transfer Printing法を用いた(111)/(-111)Pb(Zr0.65Ti0.35)O3転写膜のメモリスティブ特性
〇高橋 夏輝1,2、村井 俊哉2、高 磊2、近藤 真矢1、山田 智明1 (1.名大工、2.産総研)
[10a-B31-12]第二高調波発生を用いた強誘電体薄膜の電界下時間分解測定
〇(M1)金子 侑河1、寺林 稜平1、富田 英生1、近藤 真矢1、山田 智明1 (1.名大工)
