セッション詳細
[10a-B31-1~12]6.1 強誘電体薄膜
2026年9月10日(木) 9:00 〜 12:15
B31 (工学部 B棟)
座長:吉村 武(豊橋技科大)、 吉田 慎哉(芝浦工大)
[10a-B31-1][第60回講演奨励賞受賞記念講演] Co置換BiFeO3ナノドットにおける電場印加によるマルチフェロイックドメイン制御の3次元可視化
〇李 邱穆1、Meisenheimer Peter2、Stevenson Paul3、長瀬 泰仁1、重松 圭1,4、Ramesh Ramamoorthy5、東 正樹1,4 (1.東京科学大、2.UC バークレー、3.ノースイースタン大、4.KISTEC、5.ライス大)
[10a-B31-2]Single-Domain BiFeO3 Thin Films Grown by Low-Temperature Hydrothermal Epitaxy for Ferroelectric Photovoltaic Applications
〇(P)Kathirvel Aruchamy1,2, Seiji Nakashima2, Ai I Osaka2, Hironori Fujisawa2, Takuro Kubota3, Hiroshi Uchida3, Hiroshi Funakubo4 (1.JSPS Fellow, 2.Univ. of Hyogo, 3.Sophia Univ., 4.Tokyo Inst. of Tech.)
[10a-B31-5]Domain Wall Engineering: Simulating Nanoscale Electric Field Delivery to Living Cells at Ferroelectric Interfaces
〇ALEXIS BOROWIAK1,2, YOHEI KONO1,2, TAKESHI SHIMI1,2, TAKESHI FUKUMA1,2 (1.Kanazawa Univ., 2.NanoLSI)
[10a-B31-9]エピタキシャル PbZrO3薄膜の作製およびその反強誘電性
〇(M1)中迫 侑大1、Jumana P J2、權 相曉1、神野 伊策1 (1.神戸大工、2.C-MET Thrissur)
[10a-B31-11]µ-Transfer Printing法を用いた(111)/(-111)Pb(Zr0.65Ti0.35)O3転写膜のメモリスティブ特性
〇高橋 夏輝1,2、村井 俊哉2、高 磊2、近藤 真矢1、山田 智明1 (1.名大工、2.産総研)
