講演情報
[10a-B32-7]Ni 錯体ドーピングを用いた PBTTT 薄膜のドーパント分布観察
〇(M2)小唄 歩大1,2、金田 高廣1,2、伊藤 俊一郎1、井ノ上 大嗣1、橋爪 大輔1、竹谷 純一2、渡邉 俊一郎1 (1.理研 CEMS、2.東大院新領域)
キーワード：
導電性高分子、電子顕微鏡
高分子半導体PBTTTにNi(mnt)₂⁻のアニオン交換ドーピングを施し、NiのBSE-SEMコントラストを活用してサブマイクロスケールのドーパント空間分布を可視化する手法を検討した。当日はドーピング前後の高分子半導体中の実像観察について議論を行う予定である。