講演情報
[10a-C212-7]InP薄膜導波路MOSCAP型光位相シフタの温度安定性
〇(DC)作本 宙彌1、トープラサートポン カシディット1、竹中 充1 (1.東大院工)
キーワード：
III-V薄膜導波路、光位相シフタ、光集積回路
InP薄膜導波路MOSCAP型光位相シフタの温度安定性を検証した。III-V族半導体薄膜MOSCAP型光位相変調器は高速・低消費電力で動作可能なCPO向け光位相シフタとして期待されるが、CPOで必須な高温動作の実験検証はされていなかった。本研究では30℃および80℃で位相変調効率を評価し、双方の温度において1480～1600 nmの波長帯域で1.1～1.5 V・cmの変調効率での動作を確認した。