セッション詳細

[10a-C212-1~8]3.13 シリコンフォトニクス・光電融合集積・光制御

2026年9月10日(木) 9:00 〜 11:00
C212 (工学部 C棟)

[10a-C212-1]Siリング光変調器の変調効率改善に向けたpn接合界面および高濃度ドープ領域の配置検討

〇板谷 将宏1,2、陳 克霖1,2、松本 敦2、赤羽 浩一2、品田 聡2、前田 智弘1,2、外林 秀之1 (1.青学大理工、2.情通機構)

[10a-C212-2]Si フォトニクス変調器の低濃度ドーピングによる低損失化の検討

〇(B)川上 倫護1、馬場 俊彦1 (1.横国大院工)

[10a-C212-3]電極一体型クーポン転写によるSi/TFLNハイブリッド光変調器

〇村井 俊哉1、高 磊1、山下 洋平2、今井 雅彦2、高林 和雅2、明才地 康平2、牧野 俊太郎2、山本 宗継1 (1.産総研、2.古河ファイテルオプティカルコンポーネンツ)

[10a-C212-4]有機電気光学薄膜を用いた40 GHz帯域垂直入射型光変調器

〇唐木田 晴大1、蟻生 高人1、鍔井 雄介1、相馬 豪1、種村 拓夫1 (1.東大院工)

[10a-C212-5]プラズモニック導波路変調器のためのNi-InGaAsP合金の形成と光学特性の測定

〇森 温音1、小松 健太郎1、トープラサートポン カシディット1、竹中 充1 (1.東大院工)

[10a-C212-6]III–V/Si Hybrid MOS Optical Phase Shifter Using Multi-Quantum Wells

〇(M2)Jinrui Guo1, Tomohiro Akazawa1, Wei Dai1, Kasidit Toprasertpong1, Mitsuru Takenaka1 (1.Tokyo Univ.)

[10a-C212-7]InP薄膜導波路MOSCAP型光位相シフタの温度安定性

〇(DC)作本 宙彌1、トープラサートポン カシディット1、竹中 充1 (1.東大院工)

[10a-C212-8]High-Power Ge-on-Si Photodetector with Four-Port Oblique Optical Coupling for Enhanced Bandwidth Stability

〇(D)張 超1、唐 睿1、岡野 誠2、Kasidit Toprasertpong1、竹中 充1 (1.東大工、2.産総研)