講演情報
[10a-C310-4]分子線エピタキシー法による複窒化物NdTaN2, GdTaN2 の薄膜結晶成長
〇瀧口 耕介1、リーシュー スペンサー1、クロッケンバーガー ヨシハル1、国橋 要司1、山本 秀樹1 (1.NTT物性研)
キーワード：
複窒化物、分子線エピタキシー、新物質
ランタノイドとTaからなる新規三元複窒化物 NdTaN2およびGdTaN2を、分子線エピタキシー法によりエピタキシャル薄膜として合成した。Nd、Gd、Taの供給量を高精度制御し、窒素ラジカル源を用いて結晶成長を行った。X線回折測定から、両化合物は既報のPrTaN2と同一構造を有し、ランタノイドイオン半径の減少に伴いc軸長が短縮することを確認した。電気抵抗測定ではNdTaN2およびGdTaN2が金属的伝導を示し、GdTaN2では300 K以下で強磁性またはフェリ磁性を示唆する磁化特性が観測された。