2026年第87回応用物理学会秋季学術講演会
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セッション詳細

一般セッション(口頭講演)CS コードシェアセッション：【CS.9】6.3 酸化物エレクトロニクス、6.4 薄膜新材料のコードシェアセッション

[10a-C310-1~14]CS.9 6.3 酸化物エレクトロニクス、6.4 薄膜新材料のコードシェアセッション

2026年9月10日(木) 9:00 〜 12:45
C310 (工学部 C棟)
座長：藤田 貴啓(理研)、 河底 秀幸(都立大)
9:00 〜 9:15注目講演

[10a-C310-1]α-Al2O3(0001)基板上でのZr系金属有機構造体のエピタキシャル成長

〇中山 亮1、岩本 俊太2、Chon Seoungmiin2、清水 亮太3、一杉 太郎1 (1.東大院理、2.科学大、3.分子研)
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9:15 〜 9:30

[10a-C310-2]電子強誘電体LuFe2O4薄膜が示す構造層状性に起因する表界面格子の巨大傾斜現象

〇福地 厚1,7、有沢 洋希1,2,3、齊藤 英治1,2,3,4,5,7、小林 宏之6、岡本 敏1,6,7 (1.東京大学–住友化学社会連携講座、2.東大工、3.理研CEMS、4.東大Beyond AI、5.東北大AIMR、6.科学大–住友化学協働研究拠点、7.JST CREST)
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9:30 〜 9:45

[10a-C310-3]量子カスケードレーザー応用に向けたZnO/MgZnO超格子のPLD成長

〇増田 達也1、佐藤 利弘2、関根 徳彦3、寶迫 巌3、波多腰 玄一1、鯉沼 秀臣1、高橋 竜太4 (1.SCT Inc.、2.バキュームプロダクツ、3.情報通信研究機構、4.日大工)
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9:45 〜 10:00

[10a-C310-4]分子線エピタキシー法による複窒化物NdTaN2, GdTaN2 の薄膜結晶成長

〇瀧口 耕介1、リーシュー スペンサー1、クロッケンバーガー ヨシハル1、国橋 要司1、山本 秀樹1 (1.NTT物性研)
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10:00 〜 10:15

[10a-C310-5]a軸単一配向La2NiO4薄膜のエピタキシャル成長

〇迫田 將仁1、隅田 起喜1、納 謙吾1 (1.北大工)
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10:15 〜 10:30

[10a-C310-6]スピネル酸化物MgTi2O4薄膜の作製と物性評価

〇(M1)佐藤 圭祐1,2、佐藤 裕和2、中野 匡規1、岡田 佳憲2 (1.芝浦工大工、2.沖縄科学技術大学院大)
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10:30 〜 10:45

[10a-C310-7]CrドープTiSe2エピタキシャル薄膜の熱処理における物性変化

〇(B)青山 颯汰1、遠藤 幹大2、中野 匡規1 (1.芝浦工大工、2.東大院工)
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11:00 〜 11:15

[10a-C310-8]中赤外炭酸ガスレーザーを用いた酸化物基板のin-situ加熱処理

〇藤田 貴啓1,2、中嶋 陽太2、金子 良夫1、十倉 好紀1,2,3、川﨑 雅司1,2 (1.理研CEMS、2.東大院工、3.東大東京カレッジ)
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11:15 〜 11:30奨励賞エントリー

[10a-C310-9]パイロクロア型酸化物Sm2Mo2O7薄膜のエピタキシャル安定化

〇中嶋 陽太1、藤田 貴啓1,2、川﨑 雅司1,2 (1.東大院工、2.理研 CEMS)
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11:30 〜 11:45奨励賞エントリー

[10a-C310-10]二重ルチル型酸化物CrWO4のエピタキシャル成長

〇(M1)小泉 悠1、岡 大地1、廣瀬 靖1 (1.都立大院理)
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11:45 〜 12:00奨励賞エントリー

[10a-C310-11]擬ブルッカイト型酸化物エピタキシャル薄膜の配向制御

〇(M2)野口 快人1、秋草 大毅1、岡 大地1、廣瀬 靖1 (1.都立大院理)
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12:00 〜 12:15奨励賞エントリー

[10a-C310-12]準安定Ce2O3エピタキシャル薄膜の作製

〇(DC)吉村 充生1、太田 裕道2 (1.北大院情報、2.北大電子研)
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12:15 〜 12:30奨励賞エントリー

[10a-C310-13]複合アニオン化合物ZrNxHyのエピタキシャル成長と物性評価

〇(DC)宮崎 大地1、吉松 公平1、大友 明1 (1.科学大物質理工)
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12:30 〜 12:45奨励賞エントリー

[10a-C310-14]歪みを活かしたSrLiH3エピタキシャル膜の成長制御と高ヒドリドイオン伝導

〇(D)福士 英里香1、和田 望1、原田 尚之2、大口 裕之1 (1.芝浦工大理工、2.NIMS)
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