[10a-C310-1~14] CS.9 6.3 酸化物エレクトロニクス、6.4 薄膜新材料のコードシェアセッション

10:00 〜 10:15

[10a-C310-5] a軸単一配向La₂NiO₄薄膜のエピタキシャル成長

〇迫田 將仁¹、隅田 起喜¹、納 謙吾¹ (1.北大工)

キーワード：

ニッケル酸化物、a軸配向薄膜、分子線エピタキシー法

La₂NiO₄の異方的物性探索を目的に、NiO₂面を基板面に垂直、c軸を面内に配したa軸配向薄膜をMBEで作製した。XRDとSTEMにより高結晶性・面内方位固定を確認し、c軸方向物性評価の基盤を示した。