[10a-E101-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

10:00 〜 10:15奨励賞エントリー

[10a-E101-5] 光集積に向けたGaN可視光変調器の作製と評価

〇伊藤 巧¹、岸野 利彦¹、中澤 廣宣¹、芹川 昂寛¹、小川 尚史¹ (1.日亜化学工業(株))

キーワード：

位相変調器、光集積回路、窒化ガリウム

GaN-LDとのモノリシック集積に向け、GaN基板上にp-i-n積層を用いたリッジ型位相変調器を作製した。波長460 nmで光変調を評価し、VπL = 1.28 V·cmを得た。変調帯域は約20 MHzで、RCカットオフ計算と整合し、現状では素子・電極構造が帯域を制限していることが示唆された。GaN光源集積に向けた基板共通化と高速化の設計指針を得た。